放熱を解決

当社では、様々な基板開発を行っております。その中の一部をご紹介いたします。 ■パワー半導体 評価関連技術 Si、SiC、GaN対応 温度調整機付きダブルパルス試験機（最大1000V 300A以上）パワー半導体 相対比較用 試験機（48V～1000V 5kW）酸化ガリウムDiode 評価基板 ■直流充電／オンボードチャージャー関連技術（コンバータ） 単相PFC 5kW 効率99.3％（国内外・業界トップクラス 高効率）単相･三相両入力PFC 12kW 効率99.3％（国内外・業界トップクラス 高効率）絶縁型DCDCコンバータ 6.6kW 効率98.7%（国内外・業界トップクラス 高効率）※一部 評価ボードとして販売中。注文はお問い合わせフォームよりお問い合わせください。 ■車載PCU関連技術（インバータ） 系統連系用インバータ（V2H、V2B、V2G向け）SiCインバータ 800V 300AGaN HEMTインバータ 400V 200A機電一体モータ 48V 300Aデュアルインバータ磁器…

■パワー半導体のパッケージ最前線 パワー半導体は常に、放熱の改善とノイズ対策がセットになります。そのため多くのメーカでは、パッケージの工夫と改善をしています。例えば、トヨタのプリウス4thでは、両面放熱型のモジュールを新たに開発しました。モジュール間に水冷を通す工夫をすることで、高い放熱性能を有しています。 しかし一方で、ドレインやゲートの配線は非常に長くなります。「比較的立上り速度の速いパワー半導体」※の駆動には課題が見えてきます。 ※SiC MOSFET、GaN HEMT、Cool MOSFETなど ■パワー半導体の埋込基板の課題と可能性 そのような背景を踏まえて、近年非常に注目度が上がってきているのが埋込基板です。パワー半導体を基板内に埋め込んだ、パッケージの一種です。埋込基板によって、高放熱とノイズ耐性の両方を満足することが可能です。そのため、近年では車載向けの採用が始まってゆくとされています。 一方で、クラックなどの品質課題を改善することが急務とされております。量産の弊害は、こ…