IEEE ECCE2021にて論文発表

Link T&B株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役CEO：岩城聡明、以下「当社」）代表取締役CEO 岩城聡明は、2021年10月10日～14日の期間で開催された、IEEE ECCE2021（IEEE：米国電気学会 ECCE：Energy Conversion Congress & Expo）において、論文発表を行いました。

■発表概要

2021年10月10日～14日
IEEE ECCE2021 オンライン開催
Session I11: Semiconductor Devices
1431 | Analysis on Parasitic Capacitance to Prevent False Turn-On in GaN HEMT
Toshihiro Iwaki, Takashi Sawada, Jun Imaoka, Masayoshi Yamamoto Nagoya University, Japan

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■論文概要

本論文では、GaN HEMTの誤オン（一部で誤点弧とも呼ばれる）と呼ばれる現象により、ハーフブリッジのハードウェア方式において、上下アーム短絡を起し、パワー半導体や基板が破壊されてしまう事象について解説しています。

さらに、誤オンの発生メカニズムを、基板容量やパターンインダクタの視点から解説し、基板パターンの設計手法の提案について言及しています。

■本研究成果の活用について

当社では、この研究成果をベースとして、高速スイッチングを可能とするCool MOSFETや、SiC MOSFET、そしてGaN HEMTなどのパワー半導体の低ノイズ駆動を実現した基板やモジュール設計、基板の内部にパワーデバイスを埋め込んだ、埋込基板（基板内蔵）などの基板開発を行ってまいります。