熱とノイズを解決するーパワー半導体の基板埋め込み技術

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■パワー半導体のパッケージ最前線 パワー半導体は常に、放熱の改善とノイズ対策がセットになります。そのため多くのメーカでは、パッケージの工夫と改善をしています。例えば、トヨタのプリウス4thでは、両面放熱型のモジュールを新たに開発しました。モジュール間に水冷を通す工夫をすることで、高い放熱性能を有しています。 しかし一方で、ドレインやゲートの配線は非常に長くなります。「比較的立上り速度の速いパワー半導体」※の駆動には課題が見えてきます。 ※SiC MOSFET、GaN HEMT、Cool MOSFETなど ■パワー半導体の埋込基板の課題と可能性 そのような背景を踏まえて、近年非常に注目度が上がってきているのが埋込基板です。パワー半導体を基板内に埋め込んだ、パッケージの一種です。埋込基板によって、高放熱とノイズ耐性の両方を満足することが可能です。そのため、近年では車載向けの採用が始まってゆくとされています。 一方で、クラックなどの品質課題を改善することが急務とされております。量産の弊害は、こ…

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IEEE ECCE2021にて論文発表

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IEEE ECCE2021にて論文発表 Link T&B株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役CEO:岩城聡明、以下「当社」)代表取締役CEO 岩城聡明は、2021年10月10日~14日の期間で開催された、IEEE ECCE2021(IEEE:米国電気学会 ECCE:Energy Conversion Congress & Expo)において、論文発表を行いました。 ■発表概要 2021年10月10日~14日IEEE ECCE2021 オンライン開催Session I11: Semiconductor Devices1431 | Analysis on Parasitic Capacitance to Prevent False Turn-On in GaN HEMTToshihiro Iwaki, Takashi Sawada, Jun Imaoka, Masayoshi Yamamoto Nagoya University, Japan論文ダウンロードはこちら ■…

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