当社では、様々な基板開発を行っております。その中の一部をご紹介いたします。

■パワー半導体 評価関連技術

Si、SiC、GaN対応 温度調整機付きダブルパルス試験機(最大1000V 300A以上)
パワー半導体 相対比較用 試験機(48V~1000V 5kW)
酸化ガリウムDiode 評価基板

■直流充電/オンボードチャージャー関連技術(コンバータ)

単相PFC 5kW 効率99.3%(国内外・業界トップクラス 高効率)
単相・三相両入力PFC 12kW 効率99.3%(国内外・業界トップクラス 高効率)
絶縁型DCDCコンバータ 6.6kW 効率98.7%(国内外・業界トップクラス 高効率)
※一部 評価ボードとして販売中。注文はお問い合わせフォームよりお問い合わせください。

車載PCU関連技術(インバータ)

系統連系用インバータ(V2H、V2B、V2G向け)
SiCインバータ 800V 300A
GaN HEMTインバータ 400V 200A
機電一体モータ 48V 300A
デュアルインバータ
磁器ギア
ハルバッハモータ制御
電磁結合型 無線給電

■次世代基板技術(パワーデバイス基板内部実装 Enbedded Board)

Si MOSFET 基板内部実装 48V 200A ハーフブリッジ基板
GaN HEMT基板内部実装 400V 70A ハーフブリッジモジュール
SiC MOSFET 800V 200A マトリックスコンバータ-/マルチレベルインバータ用 双方向モジュール

シミュレーション評価

シミュレーションを用いた制御設計(PLECS・Matlab/Simulink)
シミュレーションを用いた回路・熱設計・磁束解析(SPICE・Q3D・ADS・Femtet 他)

■パワー半導体 評価実績(一部抜粋)

・GaN Systems GaN HEMT
・EPC GaN HEMT
・Transphorm GaN HEMT
・Innoscience GaN HEMT
・Powdec PSJ GaN HEMT
・Wolfspeed(Cree、APEI) SiC MOSFET
・Infineon(IR) SiC MOSFET、Si MOSFET(Cool SiC、Cool MOS)
・STMicroelectronics SiC MOSFET、Si MOSFET
・Qorvo(UnitedSiC) SiC FET
・Rohm SiC MOSFET、Si MOSFET
・Mitsubishi Electric SiC MOSFET、Si MOSFET、Si IGBT
・Fuji Electric SiC MOSFET、RB-IGBT、Si IGBT
・Onsemi SiC MOSFET、Si MOSFET、Si IGBT
・Hestia Power SiC MOSFET
・Renesas Si MOSFET、Si IGBT
・Toshiba Si MOSFET、Si IGBT
・Sanken Si MOSFET、Si IGBT
・Kyocera (Nihon Inter) Si MOSFET、Si IGBT
・Visey Si MOSFET、Si IGBT
・FLOSFIA Ga2O3 Diode
 他

リバースエンジニアリング

TOYOTA PCU、HONDA PCU、NISSAN PCU、Tesla PCU、Huawai パワーコンバータ 他

■取引実績

自動車メーカー数社
二輪車メーカー数社
自動車部品メーカー(Tire1)数社
パワー半導体メーカー数社
半導体商社 数社
化学メーカー 数社
国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学
宇宙航空研究開発機構 JAXA 他

■本技術、事業に関するお問い合わせ


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