開発実績

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当社では、様々な基板開発を行っております。その中の一部をご紹介いたします。 ■パワー半導体 評価関連技術 Si、SiC、GaN対応 温度調整機付きダブルパルス試験機(最大1000V 300A以上)パワー半導体 相対比較用 試験機(48V~1000V 5kW)酸化ガリウムDiode 評価基板 ■直流充電/オンボードチャージャー関連技術(コンバータ) 単相PFC 5kW 効率99.3%(国内外・業界トップクラス 高効率)単相・三相両入力PFC 12kW 効率99.3%(国内外・業界トップクラス 高効率)絶縁型DCDCコンバータ 6.6kW 効率98.7%(国内外・業界トップクラス 高効率)※一部 評価ボードとして販売中。注文はお問い合わせフォームよりお問い合わせください。 ■車載PCU関連技術(インバータ) 系統連系用インバータ(V2H、V2B、V2G向け)SiCインバータ 800V 300AGaN HEMTインバータ 400V 200A機電一体モータ 48V 300Aデュアルインバータ磁器…

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熱とノイズを解決するーパワー半導体の基板埋め込み技術

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■パワー半導体のパッケージ最前線 パワー半導体は常に、放熱の改善とノイズ対策がセットになります。そのため多くのメーカでは、パッケージの工夫と改善をしています。例えば、トヨタのプリウス4thでは、両面放熱型のモジュールを新たに開発しました。モジュール間に水冷を通す工夫をすることで、高い放熱性能を有しています。 しかし一方で、ドレインやゲートの配線は非常に長くなります。「比較的立上り速度の速いパワー半導体」※の駆動には課題が見えてきます。 ※SiC MOSFET、GaN HEMT、Cool MOSFETなど ■パワー半導体の埋込基板の課題と可能性 そのような背景を踏まえて、近年非常に注目度が上がってきているのが埋込基板です。パワー半導体を基板内に埋め込んだ、パッケージの一種です。埋込基板によって、高放熱とノイズ耐性の両方を満足することが可能です。そのため、近年では車載向けの採用が始まってゆくとされています。 一方で、クラックなどの品質課題を改善することが急務とされております。量産の弊害は、こ…

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